Сергей Викторович Гапонов — крупный специалист в области физики лазеров, взаимодействия электромагнитного излучения с веществом, рентгеновской оптики, высокотемпературной сверхпроводимости и физики твердотельных наноструктур.
В области физики твердого тела ученым обнаружены и исследованы явления, стимулирующие ориентированный рост пленок и связанные с облучением поверхности кристаллов потоками лазерной плазмы. Это позволило получить и экспериментально исследовать квантовые сверхрешетки (1979), а в 1987 г. — первому вырастить эпитаксиальные пленки высокотемпературных сверхпроводников с предельной токонесущей способностью, на которых были получены пионерские результаты по исследованию токопереноса в сильных магнитных полях, определению энергии центров пиннинга и связи этих параметров со структурными и морфологическими особенностями.
Определяющую роль сыграли работы С. В. Гапонова в создании многослойной нано- и субнанопленочной рентгеновской оптики, физических основ ее технологии и некоторых приложений, ему удалось создать оптику нормального падения с переменным периодом на поверхностях сложной формы. Рентгеновские зеркала нашли применение в материаловедении, диагностике плазмы, синхротронных исследованиях, астрономии, ЭУФ-нанолитографии. Работы ученого с сотрудниками сыграли определяющую роль в освоении экстремального ультрафиолетового и мягкого рентгеновского диапазона длин волн. Сейчас этот коллектив является одним из мировых лидеров в области проекционной литографии экстремального ультрафиолетового диапазона длин волн (11–13 нм).
С. В. Гапоновым построены физические основы импульсного лазерного распыления (абляции) и использования продуктов эрозии для модификации поверхности и напыления наноструктур и нанопленок.
Ученым разработана концепция построения импульсно-периодических лазеров, объединяющая теплофизические и оптические аспекты, включающие методы модуляции и управления излучением. В частности, предложен метод модуляции лазеров на явлениях самофокусировки и вынужденного рассеяния Мандельштама — Бриллюэна — это было первое практическое использование внутрирезонаторного обращения волнового фронта.
С. В. Гапонову принадлежит ведущая роль в исследованиях взаимодействия лазерного излучения среднего диапазона интенсивности (107–1010 Вт/см2) с веществом. В них определена роль неустойчивости фронта испарения и рекомбинационных явлений в формировании энергетического спектра плазмы, возникающей при взаимодействии лазерного импульса с мишенями. Эти исследования привели к решению таких прикладных задач, как разработка лазеров и лазерных технологических установок, построение физических основ технологии пленок высокотемпературных сверхпроводников, построение некоторых приборов на их основе, построение и использование для исследовательских и технологических целей сканирующих зондовых микроскопов.
Делом жизни для Сергея Викторовича стало создание им в 1993 г. на нижегородской земле Института физики микроструктур, директором которого он был до 2009 г. Первоначально на границе с Нижним Новгородом строился лабораторный корпус Института прикладной физики для занятий в области высокотемпературной сверхпроводимости. Этот корпус стал в то время в академии наук уникальным — одним из немногих, спроектированных, построенных и оснащенных специально для научных исследований в области физики и технологии твердого тела. С. В. Гапонов стал инициатором создания на основании этого корпуса самостоятельного Института физики микроструктур РАН (ИФМ РАН). Разумеется, то была очень трудная для страны и для науки первая половина 90-х годов, однако изначально при создании института были предугаданы те направления научных исследований, которые были чрезвычайно нужны и которые развиваются и в наши дни.
Под руководством С. В. Гапонова ИФМ РАН удалось оснастить большим количеством нового технологического и экспериментального оборудования, вследствие чего коллективу стали доступны новые технологии и исследования. С той поры на протяжении почти трети века важнейшие направления исследований ИФМ РАН неизменно включают фундаментальные научные исследования в области физики поверхности, твердотельных наноструктур, высокотемпературных сверхпроводников и многослойной рентгеновской оптики, технологии и применения тонких пленок, поверхностных и многослойных структур. В 2016 г. Институт физики микроструктур вновь объединился с Институтом прикладной физики, чтобы образовать один из первых в Российской академии наук Федеральный исследовательский центр в области фундаментальной и прикладной физики.
В одном из интервью Сергей Викторович отметил: «Науку, на мой взгляд, можно сравнить с театром. Актеры бывают репертуарные и антрепризные — это совершенно разные люди. Театральный актер жертвует чем-то своим ради того, чтобы существовал этот его дом — театр. А антрепризер уезжает туда, где ему лучше. Так же и ученые. Мне и моим коллегам было важно создать дом, а те, кто имел антрепризные наклонности — уехали. Сейчас усердно зазывают уехавших ученых, но, возвращаясь, они остаются антрепризерами и строить нашу науку не будут. Попытка создать науку на антрепризе, мне кажется, не для России. В США так принято, что вуз человек оканчивает в одном месте, аспирантуру в другом, а трудится в третьем месте. Это полезно, конечно, с точки зрения освоения разных подходов, но наивно полагать, что мы с помощью таких людей устроим науку так же, как у них. Научные школы в России создавались поколениями людей, преданных науке и привязанных к одному месту проживания, традиция школ сложилась. И сама мысль все разрушить и сделать по-новому, как у них в США, — контрпродуктивна. Попытка играть чужими козырями обречена на неудачу. Возрождать науку в России надо с того уровня, на котором она находится, а не пытаться прыгнуть через эпоху.
Конвергенция наук была всегда, но никогда не было, чтобы преподавали науки сразу в смешанном виде. Это способ получить в результате человека, который ни в чем не будет понимать. Когда все смешано и перепутано, то это не для обучения, это следующий этап исследовательской работы.
Нельзя не вспомнить, что в СССР на науку, особенно связанную с оборонной тематикой, тратились очень большие деньги, но зато расплачивались закрытостью, что тоже невесело. Сейчас же увлеклись «прорывными направлениями», о которых везде пишут и говорят, хотя прорывов никаких не видно. В Советском Союзе было соревнование с США и поэтому, на всякий случай, поддерживали все направления, что особенно важно для фундаментальной науки».
Редакция журнала «Поиск-НН» сердечно поздравляет Сергея Викторовича Гапонова с днем рождения и желает ему крепкого здоровья и новых научных побед!
СПРАВКА. С.В. Гапонов родился 5 марта 1937 г. в Горьком. В 1965 г. окончил Горьковский политехнический институт им. А.А. Жданова. В 1964-1978 гг. работал в горьковском институте «Салют» техником, инженером, старшим инженером, ведущим конструктором, начальником сектора, начальником лаборатории. В 1978-1992 гг. — в Институте прикладной физики РАН: завотделом твердотельной технологии и полупроводниковых приборов, завотделением физики твердого тела, заместителем директора института. В 1993-2009 гг. — директор Института физики микроструктур РАН.
С 1989 г. — завкафедрой электроники ННГУ им. Н.И. Лобачевского. В 1993 г. получил звание профессора. Член-корреспондент РАН c 1994 г., академик РАН с 2008 г. по Отделению физических наук. С 2009 г. — советник РАН.
Основатель и лидер ведущей научной школы России «Металлические сверхрешетки и нанокластерные структуры. Физика и технология многослойных и нанокластерных структур на основе металлов и сверхпроводников».
Был членом Бюро Отделения физических наук РАН, является членом Бюро совета директоров институтов РАН, членом Научного совета по проблеме «Физика полупроводников», членом Научного совета по проблеме «Актуальные направления в физике конденсированного состояния», членом президиума Объединенного научного совета по спектроскопии РАН, председателем специализированного докторского совета Д 002.098.01 и членом другого специализированного совета по защите диссертаций.
Почетный член Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН, член редакционного совета журнала «Нано- и микросистемная техника».
Автор более 200 научных статей в различных журналах, имеет семь авторских свидетельств. Специалистам хорошо известны его работы, написанные индивидуально или в соавторстве; среди них «Исследование влияния катионного состава на сверхпроводящие и микроструктурные свойства тонких пленок YВaCuO», «АСМ и РРМ исследования шероховатостей поверхности стеклянных подложек с негауссовым распределением по высотам», «Экстремальная ультрафиолетовая литография — будущее наноэлектроники».
Лауреат Государственной премии СССР (1991) за работы в области многослойной рентгеновской оптики.
Награжден орденом Дружбы (1999) за большой вклад в развитие отечественной науки и подготовку высококвалифицированных научных кадров.